上海電子公司擴建廠房基坑土方開挖施工方案（25頁）.doc
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上海電子公司擴建廠房基坑土方開挖施工方案（25頁）.doc
1、上海上海 xxxx 電子有限公司電子有限公司 大功率大功率 MOSMOS 集成電路生產線擴產項目集成電路生產線擴產項目 基基基基 坑坑坑坑 土土土土 方方方方 開開開開 挖挖挖挖 施施施施 工工工工 方方方方 案案案案 上海上海 xxxx 建設實業發展有限公司建設實業發展有限公司 目目 錄錄 1.工程總體概述 . 1 . 1 . 1 . 2 . 2 . 2 . 2 . 3 . 3 施工段劃分 . 錯誤錯誤! !未定義書簽。未定義書簽。 3.3 施工組織 . 4 . 5 案. .錯誤錯誤! !未定義書簽。未定義書簽。 . 5 5.1.1 布網原則 . 4 5.1.2 施工控制網的測設 . 4 5
2、.1.3 高程控制. . 5 5.1.4 測量質量保證措施 . 6 . 7 . 7 機械選型和數量 . 7 . 8 . 錯誤錯誤! !未定義書簽。未定義書簽。 . 11 . 12 5.3 基坑降水.12 5.3.1 降水方案 . 12 5.3.2 降水施工 . 12 5.3.3 降水運行措施 . 12 6.主要機械設備計劃、勞動力計劃 . 16 . 16 . 17 . 17 . 18 . 18 . 19 . 20 12.相關工序間的協作 . 20 1 降水工程 . 21 12.2 加強基坑圍護結構監測數據的反饋 . 22 基坑土方開挖施工方案基坑土方開挖施工方案 1.1.工程總工程總體概述體概
3、述 工程名稱：上海 xx 電子有限公司 大功率 MOS 集成電路生產線擴產項目 建設單位：上海 xx 電子有限公司 設計單位：信息產業電子第十一設計研究院有限公司 施工單位：上海市第四建筑有限公司 工程范圍：地下室基坑土方開挖施工、深井降水 1)、工程地理位置及周圍環境 本工程是上海xx電子有限公司大功率MOS集成電路生產線擴產項 目，工程在原有廠區內建設。新建廠房的南側為原有廠區變電所，北 側為動力廠房。廠區北靠川橋路、西接金豫路，東臨申江路，南面為 桂橋路，交通便捷，水電等基礎設施齊全。 本工程，自然地面標高（相當于絕對標高），北區淺基坑底標 高，基坑面積約2900 m2，開挖深度約，則淺基坑土方量約5220 m3； 南區深基坑面積約1080 m2，坑底標高，開挖深度約，開挖土方量約 7128 m3。深基坑采用750直徑的鉆孔灌注樁進行擋圍護，采用雙排 攪拌樁進行止水。淺基坑因開挖較淺
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